根据楚天都市报的报道,长江存储科技有限责任公司副董事′长杨道虹表▶示,国家存储器基地项目经过3年的建设已经取δ得了阶段性成▎▏效,自主△开发的64层三维闪存产品实现量产。

据介绍,♥杨道┚虹表示,当前以及今后一段时间他们Щ目前的任务是如期达成月产能10万片√◎,在二期项目中将会达到30万片▉/月产能。

根据之◢前的介绍,长江存储科技有限◇责₪큐任公司早在2018年就公κ开发布其突破性技术——╦╧Xtack◘ing,该技术将大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps。『

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根据官│┃方的∫说明,┓采用Xtacking技术,▲可在一片晶圆上独立加工*负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路∝。这样的加⿸工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺,以让NANDя获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储♣单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶︹︺︻圆各自完工∣后,创新的Xtackin☑g 技术只需一№个处理步骤就可通过∩数百万根金属VIA(▪Vertical Iφn≒terconnect Accesses,垂|︴()〔〕直互联通道)将二者键合接通电路,而且只增加了有限╯╰的成本。

现在,长江存储已成功将Xtacking ◐技术应用于其第二代3D NAND产品的开发,大规模量产之后,预计会有更多≌的储存产品用上国产ↆ芯片。

杨道虹还透露称,不仅64层三维╤闪存产品实现量产,更高层的三维闪҉存产品研发也取得阶段性成果,进一步缩短了与▽国际龙╟头企业的差距。

据悉,长江存储科技有限责任公司于2016年⌒7月26日在武汉东湖У新技术开发区登记成◁立,公司经Ю营范围包括半导体集成▅▆电路科技领域内的技术开发;集成电路及相关产品的设计等。